دوره 31، شماره 2 - ( دى 1391 )
جلد 31 شماره 2 صفحات 63-53 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
A. Salmasi, E. Keshavarz Alamdari. Characterization of amorphous silicon nitride thin films deposited by low pressure chemical vapor deposition Using free radicals of trichlorosilane and ammonia gaseous system. Journal of Advanced Materials in Engineering (Esteghlal) 2012; 31 (2) :53-63
URL: http://jame.iut.ac.ir/article-1-543-fa.html
URL: http://jame.iut.ac.ir/article-1-543-fa.html
آرمین سلماسی ، اسکندر کشاورز علمداری . بررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین. نشریه علمی پژوهشی مواد پیشرفته در مهندسی. 1391; 31 (2) :53-63
پژوهشگاه مواد و انرژی ، arminsalmasi@gmail.com
چکیده: (8111 مشاهده)
بررسی روش ساخت و کیفیت لایههای نازک نیترید سیلیکون آمورف رسوب داده شده به روش لایه‌نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین1 از مخلوط رادیکالهای آزاد تشکیل شده از سیستم گازی نیتروژن، آمونیاک و تری‌کلرو‌سیلان هدف این مقاله است. تبدیل گازهای اولیه به رادیکالهای آزاد گازی با عبور دادن آنها از روی کاتالیزور سرامیکی پلاتین ایریدیوم آلومینا در دمای 600 درجه سانتیگراد انجام شد. تغییرات سینتیک رشد لایه نسبت به تغییرات فشار کل سیستم، نسبت نرخ شارش آمونیاک به تری‌کلرو‌سیلان و دما بررسی شد. توپوگرافی و ترکیب شیمیایی لایه نازک توسط بیضیسنجی، طیف‌نگاری فوتو‌الکترون اشعه ایکس، طیف‌نگاری فوتو‌الکترون اشعه ایکس، طیف‌نگاری تبدیل فوریه مادون قرمز، میکروسکوپ نیروی اتمی و عمق‌نگاری با الکترون اوژه مورد بررسی قرار گرفت. بررسی نتایج نشان داد که در محدوده دمایی 730 تا 830 درجه سانتیگراد سینتیک رشد لایه نازک تابعی آرنیوسی با انرژی فعالسازی 3/166 کیلوژول بر مول است. آلودگی هیدروژن در لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف 05/1 درصد اتمی اندازهگیری شد. این مقدار 17 برابر کمتر از آلودگی هیدروژن در لایههای حاصل از روش لایه‌نشانی شیمیایی از فاز بخار به کمک پلاسما2 و 4/3 برابر کمتر از مقدار آلودگی اندازهگیری شده در لایههای حاصل از لایه‌نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین با استفاده از سیستم گازی سیلان و آمونیاک یا سیستم گازی دی‌کلروسیلان و آمونیاک است. تصاویر میکروسکوپ نیروی اتمی نشان داد که توپوگرافی سطحی لایه حاصل هموار و همگن است.
واژه‌های کلیدی: رادیکال آزاد گازی، کاتالیزور پلاتین ایریدیوم آلومینا، نیترید سیلیکون آمورف، تری کلروسیلان، لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین
ارسال پیام به نویسنده مسئول
