دوره 21، شماره 2 - ( 10-1381 )
جلد 21 شماره 2 صفحات 27-15 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
S. Samavi, A. Torkian and P. Khadivi. Optimized Standard Cell Generation for Static CMOS Technology. Journal of Advanced Materials in Engineering (Esteghlal) 2003; 21 (2) :15-27
URL: http://jame.iut.ac.ir/article-1-255-fa.html
URL: http://jame.iut.ac.ir/article-1-255-fa.html
شادرخ سماوی ، افسانه ترکیان و پژمان خدیوی . تولید سلول استاندارد بهینه در تکنولوژی CMOS استاتیک. نشریه علمی پژوهشی مواد پیشرفته در مهندسی. 1381; 21 (2) :15-27
چکیده: (6552 مشاهده)
ساخت یک مدار مجتمع با سطح کمتر، علاوه بر کاهش هزینۀ ساخت لازم، اغلب منجر به اثرات مثبتی در کاهش توان مصرفی و افزایش قدرت پردازش می شود. برای ساخت یک مدار مجتمع که قابلیت انجام یک تابع منطقی را داشته باشد و در عین حال مساحت کمتری اشغال کند، باید بتوان آن تابع منظقی را در تکنولوژی CMOS با نفوذ پیوسته ساخت. برای این کار باید مسیر اویلر پیوسته ای برای آن تابع منطقی به دست آورد. هر انفصال در ناحیۀ نفوذ باعث افزایش مساحت و کاهش کارایی می شود.
برای طراحی یک تابع منطقی در تکنولوژی CMOS ایستا، روشهای مختلفی ارائه شده که اکثر آنها بر پایه روش اهاراست. در این مقاله الگوریتمی ارائه شده که برای یک تابع منطقی می تواند مسیر اویلر را پیدا کند و ساخت مدار مجتمع را با نفوذ پیوسته و حداقل سطح، امکانپذیر می سازد. چنانچه تابع مورد نظر به هیچ عنوان مسیر اویلر پیوسته ای نداشته باشد می توان، زیر مسیرهای اویلر غیرپیوسته ای به دست آورد. علاوه بر آن، الگوریتم پیشنهادیف اطلاعات کاملی از مسیر اویلر پیدا شده ارائه می دهد که به انجام جانمایی و ساخت مدار مجتمع آن تابع منطقی، کمک می کند.
واژگان کلیدی: طراحی VLSI، روش اهارا، CMOS، نفوذ پیوسته، سلول استاندارد.
