علی بهاری، ماندانا رودباری شهمیری، نورالدین - میرنیا،
دوره ۳۱، شماره ۱ - ( تیر ۱۳۹۱ )
چکیده
در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی Si(۱۰۰) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب در تولیدات آتی نانو ترانزیستورهای میسفت بکار رود.
مسعود عطاپور، محمد مهدی دانا، فخرالدین اشرفی‌زاده،
دوره ۳۴، شماره ۴ - ( نشریه مواد پیشرفته در مهندسی- زمستان ۱۳۹۴ )
چکیده
در این پژوهش به بررسی تاثیر اندازه دانه بر رفتار خوردگی فولاد زنگ نزن آستنیتی ۳۰۴ال در محلول اسید کلریدریک ۱/۰ مولار پرداخته شده است. برای این کار، ساختارهایی با اندازه دانه های ۵/۰، ۳ و ۱۲ میکرومتر از طریق دگرگونی مارتنزیتی با ۸۰ درصد نورد سرد و بازگشت آن به آستنیت با آنیل بازگشتی در دمای ۹۰۰ درجه سانتیگراد و زمان های ۱، ۵ و ۱۸۰ دقیقه تولید شد. برای ارزیابی رفتار خوردگی از آزمون های الکتروشیمیایی پلاریزاسیون سیکلی و غوطه وری استفاده شد. نتایج نشان داد که نمونه های با اندازه دانه های مختلف نرخ خوردگی یکنواخت یکسانی دارند. با وجود این، بر اساس آزمون های پلاریزاسیون سیکلی مشخص شد که با کاهش اندازه دانه، مقاومت در برابرحفره دار شدن بهبود یافته است به طوریکه پتانسیل حفره دار شدن از ۲۹۰ میلیولت برای اندازه دانه ۱۲ میکرومتر به ۴۲۰ میلیولت برای اندازه دانه ۵/۰ میکرومتر افزایش یافت.
