علی بهاری، ماندانا رودباری شهمیری، نورالدین - میرنیا،
دوره 31، شماره 1 - ( تیر 1391 )
چکیده
در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی Si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب در تولیدات آتی نانو ترانزیستورهای میسفت بکار رود.
مسعود عطاپور، محمد مهدی دانا، فخرالدین اشرفی‌زاده،
دوره 34، شماره 4 - ( نشریه مواد پیشرفته در مهندسی- زمستان 1394 )
چکیده
در این پژوهش به بررسی تاثیر اندازه دانه بر رفتار خوردگی فولاد زنگ نزن آستنیتی 304ال در محلول اسید کلریدریک 1/0 مولار پرداخته شده است. برای این کار، ساختارهایی با اندازه دانه های 5/0، 3 و 12 میکرومتر از طریق دگرگونی مارتنزیتی با 80 درصد نورد سرد و بازگشت آن به آستنیت با آنیل بازگشتی در دمای 900 درجه سانتیگراد و زمان های 1، 5 و 180 دقیقه تولید شد. برای ارزیابی رفتار خوردگی از آزمون های الکتروشیمیایی پلاریزاسیون سیکلی و غوطه وری استفاده شد. نتایج نشان داد که نمونه های با اندازه دانه های مختلف نرخ خوردگی یکنواخت یکسانی دارند. با وجود این، بر اساس آزمون های پلاریزاسیون سیکلی مشخص شد که با کاهش اندازه دانه، مقاومت در برابرحفره دار شدن بهبود یافته است به طوریکه پتانسیل حفره دار شدن از 290 میلیولت برای اندازه دانه 12 میکرومتر به 420 میلیولت برای اندازه دانه 5/0 میکرومتر افزایش یافت.
