جستجو در مقالات منتشر شده


۴ نتیجه برای ریاحی
تأثیر نوع ساختار و زبری سطح بر زاویه ترشوندگی یک چدن هیپویوتکتیک با آب
سمیرا ریاحی، بهزاد نیرومند،
دوره ۳۵، شماره ۲ - ( نشریه مواد پیشرفته در مهندسی- تابستان ۱۳۹۵ )
چکیده

در این مقاله نتایج اولیه پژوهشی در مورد تأثیر نوع ریزساختار و زبری سطح بر زاویه ترشوندگی یک چدن هیپویوتکتیک با آب ارائه می­شود. به این منظور ابتدا چدن مذاب با سرعت­های متفاوت سرد شد و یک نمونه چدن خاکستری با توزیع گرافیت A و یک نمونه چدن سفید با ترکیب مشابه به‌دست ­آمد. سپس دو نمونه چدن در حالت­های پولیش شده، چهار مرحله الکترواچ شده و چهار مرحله سنباده زده شده، تهیه و پس از اندازه­گیری پروفیل زبری، زاویه ترشوندگی آن‌ها اندازه­گیری شد. بیشترین و کمترین مقادیر زاویه ترشوندگی به‌دست آمده، بر روی سطح نمونه چدن سفید که در مراحل سنباده­زنی با سنباده ۸۰ و ۸۰۰ مشاهده شد به‌ترتیب برابر با ۴۲ و ۱۳ درجه بود. در مورد سطوح الکترواچ شده، برای نمونه چدن سفید زاویه ترشوندگی با تغییر زبری سطح بین ۲۵ تا ۳۱ درجه تغییر کرد و بیشترین و کمترین مقدار زاویه ترشوندگی سطوح نمونه چدن خاکستری به‌ترتیب در مرحله اول (۴۰ درجه) و مرحله سوم (۲۵ درجه) الکترواچ به‌دست آمد. زوایای ترشوندگی سطوح سنباده­زده شده این نمونه بین ۲۷ تا ۳۱ درجه متغیر بود. در ادامه فاکتور زبری سطوح با استفاده از رابطه ونزل و فاکتور کسر جامد در تماس با آب با استفاده از رابطه کسی-بکستر محاسبه و زوایای ترشوندگی ونزل و کسی-بکستر مربوط به این سطوح تعیین و با زوایای ترشوندگی که به‌وسیله آزمون ترشوندگی به‌دست آمده بود، مقایسه شد. نتایج نشان داد که ریزساختار و نوع فازهای سطحی، روش زبر کردن سطح و میزان زبری بر ترشوندگی سطوح چدن­ها تأثیرگذار است و امکان تغییر زاویه ترشوندگی فلزات با اصلاح ساختار فازی، روش زبر کردن و میزان زبری سطح آن‌ها وجود دارد. هم‌چنین نشان داده شد که در نمونه چدن خاکستری، سطح نمونه پس از مراحل اول و دوم الکترواچ از رابطه
کسی-بکستر و با افزایش زبری سطح پس از مراحل سوم و چهارم الکترواچ از رابطه ونزل پیروی می­کند. سطح این نمونه در همه مراحل زبر شدن با سنباده از رابطه ونزل تبعیت نمود. نتایج نشان‌دهنده پیروی سطح نمونه چدن سفید از رابطه ونزل در همه مراحل الکترواچ بود. در حالت سنباده زده شده ، رفتار ترشوندگی سطح چدن سفید بسته به زبری سطح متغیر بوده، روند ثابتی نشان نداد.


بهینه‌سازی سنتز نانوذرات نقره وچاپ یک الگوی رسانا
پرستو موچانی، رسول صراف مأموری، نسترن ریاحی نوری،
دوره ۳۵، شماره ۴ - ( نشریه مواد پیشرفته در مهندسی- زمستان ۱۳۹۵ )
چکیده

در این پژوهش، متغیرهای اثرگذار بر سنتز نانو ذرات نقره به‌روش احیای شیمیایی سبز بهینه‌سازی و یک الگوی رسانا با استفاده از نانو ذرات نقره ساخته شد. مواد اولیه مورد استفاده شامل نمک نقره ‌نیترات به‌عنوان منبع یون نقره، پلی‌وینیل‌پیرولیدون به‌عنوان عامل پایدارکننده سطحی و گلوکز به‌عنوان عامل احیاکننده بود. متغیر‌های موثر به‌وسیله آزمون‌های آماری تاگوچی، به‌منظور بررسی اثر متغیر‌های سنتز بر شرایط بهینه و تحقق بخشیدن به کوچک‌ترین متوسط اندازه ذره مورد بررسی قرار گرفت. نانو ذرات نقره به‌دست آمده توسط آزمون پراش اشعه ایکس (XRD) و میکروسکوپی الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) مشخصه‌یابی شدند. کوچک‌ترین اندازه ذره را می‌توان با اعمال سرعت افزودن ۱/۰ میلی‌لیتر در دقیقه، دمای واکنش ۹۰ درجه سانتی‌گراد، نسبت وزنی (بر حسب گرم) گلوکز به نقره ‌نیترات ۳ به ۱، نسبت پلی‌وینیل‌پیرولیدون به نقره ‌نیترات ۲/۳ به‌دست آورد. در شرایط یاد شده بر طبق انتظار اندازه ذرات ۲۰ نانومتر به‌دست آمد و آزمون تأیید از نتایج میکروسکوپی الکترونی روبش گسیل میدانی FESEM نیز نانو ذراتی با اندازه ۲۵ نانومتر را نشان داد. در نهایت با استفاده از پودر سنتز شده الگوی رسانایی روی بستر شیشه چاپ شد. مقاومت الکتریکی الگوی چاپ شده ۴-۱۰×۰۸۸/۰ اهم سانتی‌متر به‌دست آمد.


بررسی اثر افزودن ذرات آلومینیوم تری‌هیدرات (ATH) بر خواص الکتریکی و آب‌گریزی سیلیکون رابر دو جزئی
اشکان ذوالریاستین، شیوا نوازنی، مجید رضایی آبادچی، نسترن ریاحی نوری،
دوره ۳۹، شماره ۳ - ( نشریه مواد پیشرفته در مهندسی-پاییز ۱۳۹۹ )
چکیده
در این مقاله، خواص الکتریکی و آب‌گریزی پوشش‌های سیلیکون رابری پخت شونده در دمای محیط(RTV) دوجزئی، بررسی شده و تأثیر افزودن آلومینیوم تری‌هیدرات (ATH)، روی این خواص بررسی شده است. به‌همین منظور، نانوکامپوزیت RTV-ATH به‌وسیله اختلاط فیزیکی ساخته شده و خواص الکتریکی (شامل ضریب تلفات عایقی، اتلاف دی‌الکتریک، استحکام دی‌الکتریک، مقاومت سطحی و حجمی) و آب‌گریزی آن با RTV خالص مقایسه شد. نتایج حاصل از این پژوهش نشان داد که ثابت دی‌الکتریک RTV خالص از ۳/۱۱ به ۴/۱۳ در نمونه کامپوزیتی افزایش یافت. اتلاف دی‌الکتریک نمونه کامپوزیتی نسبت به نمونه خالص در حدود ۰/۰۶ افزایش ولی در مقابل استحکام دی‌الکتریک کامپوزیت RTV-ATH نسبت به RTV خالص در حدود چهار کیلو‌ولت بر میلی‌متر بهبود را نشان داد. همچنین حضور آلومینیوم تری‌هیدرات سبب افزایش مقاومت حجمی و کاهش مقاومت سطحی پوشش‌های کامپوزیتی شده است. از سوی دیگر با بررسی آب‌گریزی پوشش‌های خالص و کامپوزیتی به‌روش پاشش، تغییری در کلاس آب‌گریزی برای پوشش کامپوزیتی نسبت به RTV خالص مشاهده نشد و هر دو نمونه در کلاس آب‌گریزی HC۲ مورد پذیرش استاندارد قرار داشتند. نمونه‌ها توسط آزمون‌های پراش پرتو ایکس، میکروسکوپ نوری و میکروسکوپ الکترونی روبشی بررسی ساختاری شدند و وجود فازهای اصلی در آنها تأیید شد.

بررسی خواص ابررسانایی و مغناطیسی ابررسانای سرامیکی Bi۲Sr۲Ca۲Cu۳O۱۰+θ با افزودن نانوذرات کاربید سیلیسیم
حسام فلاح آرانی، نسترن ریاحی نوری، سعید باغشاهی، آرمان صدقی، فاطمه شهباز طهرانی،
دوره ۴۰، شماره ۴ - ( نشریه مواد پیشرفته در مهندسی- زمستان ۱۴۰۰ )
چکیده
در این تحقیق، اثر افزودن نانوذرات کاربید سیلیسیم بر فاز ابررسانای دمابالای (۲۲۲۳-Bi) Bi۱,۶Pb۰,۴Sr۲Ca۲Cu۳O۱۰+θ به‌منظور بهبود خواص ساختاری، ابررسانایی، مغناطیسی و میخکوبی شار مغناطیسی بررسی شده ‌است. ابررسانای سرامیکی ۲۲۲۳-Bi به روش سل- ژل سنتز شد و در ادامه، فرآیند عامل‌‌دار کردن سطح ذرات کاربید سیلیسیم به کمک ترکیب آلی ازو بیس ایزو بوتیرو نیتریل (AIBN) انجام شد. اندازه‌گیری‌های پراش اشعه X، تصویربرداری میکروسکوپی گسیل میدانی، پذیررفتاری مغناطیسی و منحنی هیسترزیس به‌منظور بررسی خواص ترکیبات سنتز شده صورت گرفت. با هدف تحلیل ساختاری، الگوی پراش اشعه ایکس نمونه‌ها با استفاده از نرم‌افزار MAUD، برازش شد. بر این اساس، با افزایش مقادیر نانوذرات کاربید سیلیسیم، فاز مطلوب ۲۲۲۳-Bi کاهش یافته اما ثابت‌های شبکه تغییری نکرده است. این مسئله نشان می‌دهد که نانوذرات، به ساختار شبکه ۲۲۲۳-Bi وارد نشده‌اند. بر طبق اندازه‌گیری‌های مغناطیسی، دمای گذار ابررسانایی با افزایش درصد نانوذرات کاهش می‌یابد. همچنین، بیشترین مقدار مغناطش‌‌پذیری، پهنای حلقه هیسترزیس، چگالی جریان بحرانی و نیروی میخکوبی شار مغناطیسی به نمونه با ۰/۴ درصد وزنی کاربید سیلیسیم، تعلق دارد. 

صفحه ۱ از ۱     

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه علمی پژوهشی مواد پیشرفته در مهندسی می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 CC BY-NC 4.0 | Journal of Advanced Materials in Engineering (Esteghlal)

Designed & Developed by : Yektaweb