10 نتیجه برای آمورف
سیما میرزایی، علی جزایری،
دوره 31، شماره 1 - ( 4-1391 )
چکیده
آلیاژ نانوکریستالین Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3 با نام تجاری FINEMET، با اعمال عملیات حرارتی بر روی ماده ی آمورف اولیه تولید می شود. تعیین مشخصه های سینتیکی تحول ساختار آمورف به نانوکریستالین، امکان کنترل ریزساختار را از نظر اندازه و کسر حجمی فاز نانوکریستالین و لذا دستیابی به خواص مغناطیسی مطلوب را از طریق انتخاب شرایط بهینه عملیات حرارتی میسر می سازد. در این پژوهش سینتیک نانوکریستالیزاسیون آلیاژ آمورف FINEMET به کمک دستگاه آنالیز حرارتی تفاضلی (DTA) در شرایط غیرهمدما و با استفاده از روش های هم تبدیلی و ایزوسینتیک در نرخ های گرمایش 5، 10، 15 و ˚C/min20 بررسی شده است. تغییر ریزساختار و خواص مغناطیسی نمونه آمورف در طی فرایند نانوکریستالیزاسیون در دمای ˚C560 به ترتیب توسط پراش اشعه ایکس (XRD) و منحنی های پسماندنگار مورد بررسی قرار گرفته است.
آرمین سلماسی، اسکندر کشاورز علمداری،
دوره 31، شماره 2 - ( 10-1391 )
چکیده
بررسی روش ساخت و کیفیت لایه‌های نازک نیترید سیلیکون آمورف رسوب داده شده به روش لایه‌نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین1 از مخلوط رادیکالهای آزاد تشکیل شده از سیستم گازی نیتروژن، آمونیاک و تری‌کلرو‌سیلان هدف این مقاله است. تبدیل گازهای اولیه به رادیکالهای آزاد گازی با عبور دادن آنها از روی کاتالیزور سرامیکی پلاتین ایریدیوم آلومینا در دمای 600 درجه سانتیگراد انجام شد. تغییرات سینتیک رشد لایه نسبت به تغییرات فشار کل سیستم، نسبت نرخ شارش آمونیاک به تری‌کلرو‌سیلان و دما بررسی شد. توپوگرافی و ترکیب شیمیایی لایه نازک توسط بیضیسنجی، طیف‌نگاری فوتو‌الکترون اشعه ایکس، طیف‌نگاری فوتو‌الکترون اشعه ایکس، طیف‌نگاری تبدیل فوریه مادون قرمز، میکروسکوپ نیروی اتمی و عمق‌نگاری با الکترون اوژه مورد بررسی قرار گرفت. بررسی نتایج نشان داد که در محدوده دمایی 730 تا 830 درجه سانتیگراد سینتیک رشد لایه نازک تابعی آرنیوسی با انرژی فعالسازی 3/166 کیلوژول بر مول است. آلودگی هیدروژن در لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف 05/1 درصد اتمی اندازهگیری شد. این مقدار 17 برابر کمتر از آلودگی هیدروژن در لایه‌های حاصل از روش لایه‌نشانی شیمیایی از فاز بخار به کمک پلاسما2 و 4/3 برابر کمتر از مقدار آلودگی اندازهگیری شده در لایه‌های حاصل از لایه‌نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین با استفاده از سیستم گازی سیلان و آمونیاک یا سیستم گازی دی‌کلروسیلان و آمونیاک است. تصاویر میکروسکوپ نیروی اتمی نشان داد که توپوگرافی سطحی لایه حاصل هموار و همگن است.
علی جزایری، سیما میرزایی، حمید ارونی حصاری، بهزاد بینش،
دوره 32، شماره 2 - ( 10-1392 )
چکیده
در این پژوهش، تـأثیر پارامترهای اصلی فرایند ریخته ریسی (PFC) بر مشخصات ابعادی فویل‌های آمورف آلیاژ نرم مغناطیس Co68.15Fe4.35Si12.5B15 بررسی شد. آزمایشات ریخته ریسی تحت اتمسفر آرگن انجام گرفت و ارتباط بین پارامترهای فرایند از جمله: سرعت خطی دیسک، فاصله نازل تا دیسک و فشار تزریق مذاب با ضخامت فویل‌های تولیدی تعیین و مشخص شد که ضخامت فویل‌ها با معکوس سرعت خطی دیسک، ریشه چهارم فاصله نازل تا دیسک و ریشه دوم فشار تزریق مذاب رابطه خطی دارد. همچنین از رابطه‌ی ارائه شده توسط فیدلر برای پیش‌بینی و محاسبه ضخامت فویل‌های آمورف پایه کبالت تولیدی استفاده و معلوم شد که نتایج حاصل از تحقیق حاضر انطباق بسیار خوبی با رابطه‌ی فیدلر دارند.
بهزاد بینش، علی جزایری قره باغ، علیرضا فروغی،
دوره 35، شماره 3 - ( 9-1395 )
چکیده
در این پژوهش اتصال سوپرآلیاژ IN-738LC به روش فاز مایع گذرا با استفاده از فویل آمورف MBF-20 تولید شده به روش مذاب ریسی مورد بررسی قرار گرفت. فرایند اتصال دهی در دماهای 1035-1080 درجه سانتیگراد و زمانهای 30-60 دقیقه تحت اتمسفر خلاء انجام شد. نتایج بررسیهای ریزساختاری نشان داد که فازهای یوتکتیکی تشکیل شده در ناحیه انجماد غیر هم‌دما (ASZ) ذرات فازهای ثانویه بورایدی غنی از نیکل و کروم و سیلیسید نیکل هستند و رسوبات ریز سیلیسید نیکل در اثر تحول حالت جامد در حین سرد شدن در زمینه محلول جامد g رسوب میکنند. میزان فازهای یوتکتیک در ناحیه مرکزی اتصال با افزایش زمان اتصال دهی و کاهش ضخامت فویل پرکننده، کاهش پیدا کرد. با انجام اتصالدهی در دمای 1055 درجه سانتیگراد به مدت 30 دقیقه فرایند انجماد هم‌دما کامل شد اما برخلاف انتظار با افزایش دما به 1080 درجه سانتیگراد ، سرعت مرحله انجماد هم‌دما کاهش پیدا کرد. با کامل شدن انجماد هم‌دما و حذف ذرات ترد فازهای ثانویه در ناحیه مرکزی اتصال، استحکام برشی افزایش پیدا کرد.
مجید حسین زاده، محسن بزرگمهر، مجید عسکری،
دوره 36، شماره 1 - ( 3-1396 )
چکیده
آلیاژهای آمورف پایه کبالت جهت کاربردهای مختلفی شامل استفاده در صنایع الکترونیک، حسگرها و حافظه‌های مغناطیسی با توجه به خواص مغناطیسی ویژه خود شامل مغناطوتنگش نزدیک به صفر، نفوذپذیری مغناطیسی و مغناطش اشباع بالا مورد توجه بسیاری از محققان برای انجام تحقیقات بنیادی هستند. هدف از انجام این پژوهش ساخت و بررسی خواص مغناطیسی آلیاژ آمورف پایه کبالت با استفاده از فرایند ذوب‌ریسی مذاب و آلیاژسازی مکانیکی است. آلیاژ تولیدی به هر دو روش توسط میکروسکوپی الکترونی روبشی، دستگاه پراش سنج پرتو ایکس و دستگاه مغناطوسنج ارتعاشی مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان داد که ترکیب تولید شده به‌روش ذوب‌ریسی با دیسک مبرد دارای خواص نرم مغناطیسی مناسب‌تری می‌باشد.
غلامحسین اکبری، محمدحسین عنایتی، حسین مینوئی،
دوره 37، شماره 1 - ( 3-1397 )
چکیده
در این پژوهش از فرایند آلیاژسازی مکانیکی برای تولید آلیاژ آمورف در سیستم Ni-Nb-Si استفاده شد. آزمون‌های پراش پرتو ایکس و تصاویر میکروسکوپی الکترونی عبوری با قدرت تفکیک بالا، تشکیل فاز آمورف را پس از 12 ساعت فرایند آلیاژسازی مکانیکی تأیید کرد. نتایج حاصل از تصاویر میکروسکوپی الکترونی روبشی از مورفولوژی ذرات در حین فرایند آلیاژسازی مکانیکی نشان داد که با افزایش زمان آسیاکاری، اندازه ذرات پودر کمتر و شکل آنها یکنواخت‌تر می‌شوند. افزایش نرخ کارسختی باعث ایجاد تردی، افزایش نرخ شکست و به‌دنبال آن کاهش اندازه ذرات پودر (2±3) میکرومتر شد. پس از دو ساعت آلیاژسازی مکانیکی ساختار لایه‌ای حاصل از قرار گرفتن لایه‌های متناوب از عناصر اولیه مختلف مشاهده شد. تصاویر میکروسکوپی الکترونی روبشی از سطح مقطع پودر نشان داد، افزایش زمان آسیاکاری سبب کاهش فواصل بین لایه‌ها و توزیع یکنواخت‌تر عناصر و درنهایت ایجاد ساختار یکنواختی از فاز آمورف کامل می‌شود.
میثم زرچی، شاهرخ آهنگرانی،
دوره 39، شماره 1 - ( 3-1399 )
چکیده
این پژوهش، به بررسی ویژگی‌های ساختاری و اپتیکی فیلم‌های چنددانه سیلیکون حاصل از اعمال تکنولوژی تبخیر پرتو الکترونی فاز بخار (EB-PVD) روی ویفر سیلیکونی، اختصاص دارد. این فیلم‌ها ابتدا آمورف بوده و طی آنیل به یک فاز جامد بلوری گذار کردند. آنیل در کوره تیوبی تحت اتمسفر گاز خنثی در دماهای مختلف انجام شد. ریزساختار فیلم‌ها برای درک ارتباط بین ترکیب بلوری / آمورف، اندازه دانه و مشخصات فیلم‌ها، مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان‌دهنده کاهش زبری با افزایش دمای آنیل و افزایش تراکم ساختاری است. همچنین، نتایج حاصل از طیف میکرو رامان نشان‌دهنده تشکیل و افزایش میزان نانوبلور‌های سیلیکون در شرایط آنیل و همچنین با افزایش ضخامت پوشش بر اثر عیوب ساختاری بود.
موسی فرهادیان، کیوان رئیسی، محمدعلی گلعذار،
دوره 39، شماره 2 - ( 6-1399 )
چکیده
هدف از این تحقیق بررسی تأثیر افزودن SiO2 آمورف در تحولات فازی و ریزساختاری ZrO2 است. نتایج پراش پرتو ایکس (XRD) نشان داد، به‌دلیل تشابه ساختاری بین زمینه آمورف و ساختار تتراگونال ZrO2، اولین فازی که از زمینه آمورف جوانه می‌زند فاز شبه‌پایدار تتراگونال است. این فاز در نمونه ZrO2 خالص ناپایدار بوده و در دمای حدود 600 درجه سانتیگراد به فاز پایدار مونوکلینیک تبدیل می‌شود. درحالی که با افزودن SiO2 به ساختار ZrO2، فاز شبه‌پایدار تتراگونال حتی تا دمای حدود 1100 درجه سانتیگراد پایدار می‌ماند. محدوده دمایی پایداری ساختار تتراگونال شبه‌پایدار از حدود 150 درجه سانتیگراد در ذرات ZrO2 خالص به حدود 500 درجه سانتیگراد در ذرات کامپوزیتی ZrO2-SiO2 با محتوای 10 درصد مولی SiO2 افزایش پیدا کرد. با افزایش بیشتر محتوای SiO2 به 30 درصد مولی، محدوده پایداری دمایی ساختار تتراگونال شبه‌پایدار ثابت ماند ولی میانگین اندازه ذرات نسبت به ذرات خالص ZrO2، حدود 1/6 برابر کاهش یافت. پایداری ساختار تتراگونال شبه‌پایدار ZrO2 به‌دلیل اثر محدودکنندگی SiO2 و ایجاد پیوندهای شیمیایی جدید Zr-O-Si در فصل مشترک ذرات است.
فرزانه دلشاد، مرتضی مغربی، مجید بنی آدم،
دوره 40، شماره 2 - ( 6-1400 )
چکیده
نانولوله‌های کربنی دارای ناخالصی‌هایی بوده و یکی از روش‌های خالص‌سازی آنها، آمورف‌زدایی است. در این پژوهش برای اولین بار از محلول پیرانا با نسبت 1:3 (30 میلی‌لیتر سولفوریک اسید + 10 میلی‌لیتر هیدروژن پراکسید) با زمان فرآوری 30 دقیقه و مایکروویو به‌منظور آمورف‌زدایی از آرایه نانولوله کربنی آمورف‌دار استفاده شد. از امواج فراصوت به‌منظور پراکندگی نانولوله‌های کربنی اولیه و آمورف‌زدایی شده در آب و از سانتریفیوژ برای جداسازی ذرات درشت استفاده شد. برای بررسی آمورف‌زدایی، روش‌های جدیدی مانند درصد پراکنش یافته و درصد سرباره بررسی شد. مشخص شد با افزایش زمان فراصوت از صفر تا 50 دقیقه، درصد پراکنش یافته آرایه فرآوری شده بیشتر (حدود 47 درصد) و درصد سرباره آرایه خالص کمتر (حدود 20 درصد) می‌شود. این نتایج به کاهش آمورف مربوط می‌شود. با انجام آزمون توزین حرارتی، مشخص شد که نتایج حاصل از آزمون با نتایج حاصل از روش‌های تعیین درصد پراکنش یافته و سرباره توافق دارند.
الهام محقق پور، رضا غلامی پور، مرجان رجبی، مجید مجتهدزاده لاریجانی،
دوره 40، شماره 3 - ( 8-1400 )
چکیده
در تحقیق حاضر لایه نازک کربن آمورف با استفاده از روش کندوپاش پرتوی یونی بر شیشه و آلیاژ نیکل- مس ایجاد و همبستگی تحولات ساختاری کربن آمورف با انرژی جنبشی اتم‌های کربن در مرحله تشکیل پیوند با اتم‌های دیگر بررسی شده است. تأثیر جنس زیرلایه، دمای انباشت و انرژی پرتوی یون بر تحولات ساختاری لایه‌های انباشت شده نیز بررسی شده است. نتایج بررسی طیفسنجی رامان نشان‌دهنده تحولات ساختاری لایه نازک کربن آمورف به‌سمت کربن شبه الماسی (DLC) با افزایش دمای انباشت تا 100 درجه سانتیگراد و انرژی پرتوی یون از دو به پنج کیلوالکترون ولت است. اندازه خوشه‌های گرافیتی با پیوند sp2 کوچک‌تر از یک نانومتر در لایه‌های کربن آمورف انباشت شده بر آلیاژ نیکل- مس است. نتایج محاسبه تنش پسماند با استفاده از دستگاه پراش پرتوی ایکس (XRD) نشان‌دهنده روند کاهشی میزان تنش پسماند کششی لایه نازک کربن آمورف با افزایش انرژی پرتوی یون است.
