جستجو در مقالات منتشر شده


۲ نتیجه برای خواص مغناطیسی.

سمیه اعلم الهدی، سید محمد میرکاظمی، طاهره شاهجویی، نیلوفر بنویدی،
دوره ۳۶، شماره ۲ - ( ۶-۱۳۹۶ )
چکیده

در این پژوهش نانوذرات نیکل فریت به روش سلژل خوداحتراقی سنتز شدند و تأثیر دمای کلسیناسیون بر تشکیل فازها، خواص مغناطیسی و ریزساختار نانوذرات نیکل فریت سنتز شده با استفاده از پراش پرتو ایکس، مغناطومتر نمونه ارتعاشی و میکروسکوپ الکترونی روبشی بررسی شد. همچنین برروی نتایج پراش پرتو ایکس آنالیز کمی صورت گرفت. بررسی‌های ریزساختاری و محاسبه اندازه بلورک‌ها تشکیل نانوذرات را نشان داد. الگوهای پراش پرتو ایکس نشان داد که محصول احتراق شامل نیکل فریت، هماتیت، NiO، FeNi۳ است. با انجام کلسیناسیون، FeNi۳ حذف شد و مقدار NiO و هماتیت با تغییر دمای کلسیناسیون تغییر کرد. مغناطش اشباع با کلسیناسیون در دمای ۶۰۰ درجه سانتی‌گراد از emu/g۳۷ به emu/g۳۰ کاهش یافت که به‌دلیل تجزیه فاز مغناطیسی FeNi۳ و افزایش مقدار فاز آنتی‌فرومغناطیسی هماتیت است. میدان پسماندزدا نیز افزایش پیدا کرد که می‌تواند به‌دلیل افزایش نسبی مقدار فاز نیکل فریت و حذف فاز FeNi۳ باشد. مقدار مغناطش اشباع در نمونه کلسینه شده در دمای ۱۰۰۰ درجه سانتی‌گراد به‌دلیل واکنش بین هماتیت و اکسید نیکل و افزایش درصد نیکل فریت به مقدار emu/g۴۳ افزایش یافت و نیروی پسماندزدای مغناطیسی تا Oe۱۲۷ کاهش یافت که می‌تواند به‌دلیل افزایش اندازه ذرات و ایجاد ذرات مغناطیسی چند سامان باشد.
 


فاطمه ابراهیمی، فخرالدین اشرفی زاده، سعید رضا بخشی،
دوره ۳۶، شماره ۳ - ( ۸-۱۳۹۶ )
چکیده

در این تحقیق با به‌کارگیری آندایزینگ دو مرحله‌ای، تمپلت‌ آلومینایی منظم با قطر حفره ۳۰ نانومتر و طول ۱۵ میکرومتر ساخته شد. سپس با کمک روش غوطه‌وری در محلول سل، نانو‌سیم‌های فریت استرانسیوم تهیه شدند. نانوپودرهای فریت مورد نظر نیز با استفاده از روش سل- ژل سنتز شد. مشخصه‌یابی نانوساختارها با استفاده از پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدانی (FESEM) و آزمون طیف‌سنجی توزیع انرژی (EDS) انجام شد. منحنی مغناطش برای نانوپودر و نانو‌سیم‌ها (در جهت موازی و عمود با محور نانو‌سیم) با استفاده از دستگاه تداخل‌سنج کوانتومی ابررسانایی (SQUID) رسم شد. نتایج بیانگر آن است آندایز دو مرحلهای در اگزالیک اسید ۳/۰ مولار در دمای چهار درجه سانتی‌گراد با آندایز مرحله اول ۱۲ ساعت منجر به ایجاد تمپلت کاملاً منظم می‌شود. روش غوطه‌وری در دمای ۸۰ درجه سانتی‌گراد به مدت دو ساعت منجر به ایجاد نانو‌سیم‌های یکنواخت و منظم فریت استرانسیوم می‌شود؛ نانو‌سیم‌های مغناطیسی درون تمپلت ناهمسانگردی عمودی از خود نشان دادند.
 



صفحه ۱ از ۱     

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه علمی پژوهشی مواد پیشرفته در مهندسی می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 CC BY-NC 4.0 | Journal of Advanced Materials in Engineering (Esteghlal)

Designed & Developed by : Yektaweb