به‌دلیل افزایش نیاز بشر به منابع انرژی پاک، فناوری سلول‌های خورشیدی با سرعت زیادی در حال گسترش است. از جمله مهم‌ترین چالش‌ها در ساخت سلول‌های خورشیدی پروسکایت، عدم وجود یک ماده انتقال دهنده مؤثر حفره با پایداری و قیمتی مناسب است. نیمه‌هادی‌های نوع P غیرآلی مانند نیکل اکسید در مقایسه با انتقال دهنده‌های حفره آلی از نظر قیمتی بسیار مقرون به‌صرفه هستند. علاوه بر این، ویژگی‌هایی از قبیل گاف انرژی پهن، رسانندگی بالا، پایداری و مقاومت در برابر رطوبت و فرایند ساخت بر پایه محلول، این انتقال دهنده حفره غیرآلی نانوساختار را به‌عنوان گزینه مناسبی برای جایگزینی مواد آلی تبدیل کرده است. هدف از انجام پژوهش حاضر ارزیابی مشخصات و مکانیزم نیکل اکسید به‌عنوان انتقال دهنده حفره در ساختار سلول خورشیدی پروسکایتی نانوساختار به‌صورت معکوس و با استفاده از لایه محافظ میانی فولرین است. برای سلول‌های خورشیدی با این ساختار فاکتور پرشوندگی حدود 71 درصد و چگالی جریان 21/5 میلی‌آمپر بر سانتی‌متر مربع و ولتاژ مدار باز 1000 میلی‌ولت و بازده 15/2 درصد به‌دست آمد.
