دوره 31، شماره 1 - ( تیر 1391 )
جلد 31 شماره 1 صفحات 56-51 |
برگشت به فهرست نسخه ها
گروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر ، a.bahari@umz.ac.ir
چکیده: (5791 مشاهده)
در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی Si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب در تولیدات آتی نانو ترانزیستورهای میسفت بکار رود.