دوره 40، شماره 2 - ( 11-1400 )
جلد 40 شماره 2 صفحات 94-81 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Gilavand P, Heidari H R. Numerical Study of the Effect of Nanofluid on Heat Transfer of a Channel in the Presence of Variable Magnetic Field with Obstacles. Computational Methods in Engineering 2022; 40 (2) :81-94
URL: http://jcme.iut.ac.ir/article-1-847-fa.html
URL: http://jcme.iut.ac.ir/article-1-847-fa.html
گیلاوند پرویز، حیدری حمیدرضا. مطالعه عددی تأثیر نانوسیال بر انتقال حرارت یک کانال در حضور میدان مغناطیسی متغیر با ایجاد موانع. روشهای عددی در مهندسی. 1400; 40 (2) :81-94
1- دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه آزاد دورود، لرستان
2- دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه ملایر، ملایر ، hr.heidari@malayeru.ac.ir
2- دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه ملایر، ملایر ، hr.heidari@malayeru.ac.ir
چکیده: (1131 مشاهده)
در این مقاله، تاثیر نانوسیال آب-اکسید‌آهن (Fe3O4) بر انتقال حرارت یک کانال در حضور میدان مغناطیسی متغیر عمود بر جریان، با ایجاد موانع به‌صورت محوری با استفاده از مدل تک‌فازی مخلوط مطالعه می‌شود. اثرات میدان مغناطیسی با نوشتن کدهایی به معادلات حاکم بر فروسیال اضافه شده و هندسه مسئله در نرم‌افزار Gambit 2.4 تولید و شبکه‌بندی می‌شود. شبکه حاصل به‌صورت سه‌بعدی تشکیل شده و معادلات دیفرانسیل غیر‌خطی حاکم بر مسئله نیز بر‌اساس روش حجم محدود با کمک نرم‌افزار فلوئنت تحلیل می‌شود. همچنین اثر پارامترهایی نظیر اثر موانع در مسیر جریان، عدد بی‌بعد شدت میدان مغناطیسی و عدد بی‌بعد رینولدز بر انتقال حرارت مطالعه شده است. نتایج نشان می‌دهد، ایجاد موانع در مسیر جریان باعث اغتشاش در جریان سیال شده، که این اغتشاش باعث افزایش انتقال حرارت کلی می‌شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی بر نانوسیال مغناطیسی سبب نفوذ لایه مرزی خنک در قسمت‌های مرکزی کانال شده و با افزایش شدت میدان مغناطیسی نفوذ این لایه نیز افزایش می‌یابد. در نتیجه مقدار عدد ناسلت و انتقال حرارت افزایش یافته که این بهبود انتقال حرارت و عدد ناسلت با افزایش عدد رینولدز بیشتر می‌شود.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
